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소개

SemiQ 2007 년에 설립 된 Global Power Technologies Group, Inc. (이하 "GPTG")는 SiC (Silicon Carbide) 기술을 기반으로하는 제품에 전념 한 통합 개발 및 제조 회사입니다. 이 제품들은 저비용, 고효율 전력 생산, 변환 및 전송을 위해 첨단 기술이 필요한 미래의 전력 전자 및 에너지 산업의 기초가 될 것입니다.

관련 뉴스

범주
7
제품 센터
373

이산 반도체 제품

GHIS030A060B1P2

GHIS030A060B1P2

기술: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D005A060A

GP2D005A060A

기술: DIODE SCHOTTKY 600V 15A TO220-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GPA015A120MN-ND

GPA015A120MN-ND

기술: IGBT 1200V 30A 212W TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHIS080A120S-A2

GHIS080A120S-A2

기술: IGBT BUCK CHOP 1200V 160A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GDP08S120A

GDP08S120A

기술: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO220-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHXS010A060S-D3

GHXS010A060S-D3

기술: DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D005A065C

GP2D005A065C

기술: DIODE SCHOTTKY 650V 15A TO252

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHIS020A060B1P2

GHIS020A060B1P2

기술: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GCMS020A120S1-E1

GCMS020A120S1-E1

기술: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M005A040PG

GP1M005A040PG

기술: MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D008A120C

GP2D008A120C

기술: DIODE SCHTKY 1.2KV 24A TO252-2L

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M020A050N

GP1M020A050N

기술: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHIS040A120S-A1

GHIS040A120S-A1

기술: IGBT BOOST CHOP 1200V 80A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHXS015A120S-D1E

GHXS015A120S-D1E

기술: MOD SBD BRIDGE 1200V 15A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD160A018S1-D3

GSXD160A018S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 180V 160A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M002A065HG

GP2M002A065HG

기술: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GDP15S120B

GDP15S120B

기술: DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO247-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP3D030A060B

GP3D030A060B

기술: DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GDP30P120B

GDP30P120B

기술: DIODE SCHOTTKY 1200V 81A TO247-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M003A050CG

GP1M003A050CG

기술: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHIS050A120T1P2

GHIS050A120T1P2

기술: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GPA040A120L-FD

GPA040A120L-FD

기술: IGBT 1200V 80A 480W TO264

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD050A020S1-D3

GSXD050A020S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 200V 50A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M004A060PG

GP2M004A060PG

기술: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD160A012S1-D3

GSXD160A012S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 120V 160A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M005A050FG

GP2M005A050FG

기술: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHIS075A120T2P2

GHIS075A120T2P2

기술: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D006A060A

GP2D006A060A

기술: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GCMS040A120B1H1

GCMS040A120B1H1

기술: SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M011A050HS

GP1M011A050HS

기술: MOSFET N-CH 500V 10A TO220

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M003A040CG

GP1M003A040CG

기술: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXF100A060S1-D3

GSXF100A060S1-D3

기술: DIODE FAST REC 600V 100A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHXS045A120S-D1E

GHXS045A120S-D1E

기술: MOD SBD BRIDGE 1200V 45A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD060A010S1-D3

GSXD060A010S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 100V 60A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHIS080A120S1-E1

GHIS080A120S1-E1

기술: SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD080A008S1-D3

GSXD080A008S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 80V 80A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSID080A120B1A5

GSID080A120B1A5

기술: SILICON IGBT MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2D006A065A

GP2D006A065A

기술: DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD030A004S1-D3

GSXD030A004S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 45V 30A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHXS020A060S-D4

GHXS020A060S-D4

기술: DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M007A080F

GP2M007A080F

기술: MOSFET N-CH 800V 7A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M004A065CG

GP2M004A065CG

기술: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHXS015A120S-D3

GHXS015A120S-D3

기술: DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M006A065CH

GP1M006A065CH

기술: MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHIS080A120S-A1

GHIS080A120S-A1

기술: IGBT BOOST CHP 1200V 160A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1M003A080PH

GP1M003A080PH

기술: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GSXD050A010S1-D3

GSXD050A010S1-D3

기술: DIODE SCHOTTKY 100V 50A SOT227

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP2M010A060F

GP2M010A060F

기술: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GHIS050A060B3P2

GHIS050A060B3P2

기술: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GPA040A120MN-FD

GPA040A120MN-FD

기술: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
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