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Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

소개

Winbond Electronics Corporation - Winbond Electronics Corporation은 전세계 고객에게 최고 품질의 메모리 솔루션을 제공하기 위해 설계, 제조 및 판매 서비스에 종사하는 메모리 IC 회사입니다. Winbond의 제품 라인에는 코드 스토리지 플래시 메모리, 직렬 및 병렬 NAND, 특수 DRAM 및 모바일 DRAM이 포함됩니다.
Winbond 제품은 컴퓨팅, 연결된 멀티미디어 장치, 자동차, 네트워킹 시스템 및 산업과 같은 IoT 수직 시장의 회사에서 널리 사용됩니다. Winbond는 수명이 긴 자동차 및 산업용 플러스 등급 플래시 및 DRAM 제품을 제공합니다. Winbond는 대만 타이 중 본사에 12 인치 FAB를 포함하여 전 세계적으로 약 2,200 명의 직원을 보유하고 있습니다.

관련 뉴스

범주
2
제품 센터
1,276

통합 회로 (ICS)

W25Q64CVSFIG

W25Q64CVSFIG

기술: IC FLASH 64M SPI 80MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W978H2KBVX2I

W978H2KBVX2I

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GU8KB-12

W632GU8KB-12

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GG6MB-12 TR

W631GG6MB-12 TR

기술: IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9825G6KH-5 TR

W9825G6KH-5 TR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W972GG8JB25I TR

W972GG8JB25I TR

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GU6MB12I TR

W632GU6MB12I TR

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128JVFIQ TR

W25Q128JVFIQ TR

기술:

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16JVUUIQ TR

W25Q16JVUUIQ TR

기술: IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8USON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q256FVBIG TR

W25Q256FVBIG TR

기술: IC FLASH 256M SPI 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W947D2HBJX5E

W947D2HBJX5E

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W39V040FAPZ

W39V040FAPZ

기술: IC FLASH 4M PARALLEL 32PLCC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9864G6JH-5

W9864G6JH-5

기술: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W948D6FBHX5I

W948D6FBHX5I

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q64FVSFJQ TR

W25Q64FVSFJQ TR

기술: IC FLASH MEMORY 64MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q80BVDAIG

W25Q80BVDAIG

기술: IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8DIP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16JVSNIQ TR

W25Q16JVSNIQ TR

기술:

제조업체: Winbond Electronics
유품
W25Q64JVZEIQ TR

W25Q64JVZEIQ TR

기술: IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q257FVFIF TR

W25Q257FVFIF TR

기술: IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W948D2FBJX6E

W948D2FBJX6E

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25P16VSFIG T&R

W25P16VSFIG T&R

기술: IC FLASH 16M SPI 50MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W632GG6MB15I TR

W632GG6MB15I TR

기술: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25M02GVZEIG TR

W25M02GVZEIG TR

기술: IC FLASH 2G SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W948D6KBHX5I

W948D6KBHX5I

기술: IC SDRAM 256MBIT 46NM 60BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W987D6HBGX6E TR

W987D6HBGX6E TR

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W29N01HVDINF

W29N01HVDINF

기술: IC FLASH 1G PARALLEL 48VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W29GL032CH7T

W29GL032CH7T

기술: IC FLASH 32M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FWEIG

W25Q128FWEIG

기술: IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128FVAIG

W25Q128FVAIG

기술: IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8DIP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W947D2HBJX5E TR

W947D2HBJX5E TR

기술: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q256JVFIM TR

W25Q256JVFIM TR

기술: IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W631GG6MB12I TR

W631GG6MB12I TR

기술: IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W979H6KBVX2E TR

W979H6KBVX2E TR

기술: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32DWZPIG TR

W25Q32DWZPIG TR

기술: IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q80BLSNIG TR

W25Q80BLSNIG TR

기술: IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q16FWBYIG TR

W25Q16FWBYIG TR

기술: IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WLCSP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q64FVZEIG TR

W25Q64FVZEIG TR

기술: IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q128JVBIM

W25Q128JVBIM

기술: IC FLASH 128M SPI 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q256FVFIP

W25Q256FVFIP

기술: IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q64FVDAIG

W25Q64FVDAIG

기술: IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8DIP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9464G6KH-5I

W9464G6KH-5I

기술: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q256JVBIM

W25Q256JVBIM

기술: IC FLASH 256M SPI 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W19B320ATB7H

W19B320ATB7H

기술: IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q80BVZPIG

W25Q80BVZPIG

기술: IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WSON

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q20EWSVIG TR

W25Q20EWSVIG TR

기술: IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8VSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q64CVZEJP TR

W25Q64CVZEJP TR

기술: IC FLASH MEMORY 64MB

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q32FVTCIP

W25Q32FVTCIP

기술: IC FLASH 32M SPI 104MHZ 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W948D2FBJX5E

W948D2FBJX5E

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W25Q256JVCIQ

W25Q256JVCIQ

기술: IC FLASH 256M SPI 24TFBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W29GL032CB7S

W29GL032CB7S

기술: IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품

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