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MT29F4G08ABADAH4-AITX:D

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    MT29F4G08ABADAH4-AITX:D
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  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC FLASH 4G PARALLEL FBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • ECAD 모델
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 과학 기술
    FLASH - NAND
  • 연속
    -
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 메모리 유형
    Non-Volatile
  • 메모리 크기
    4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    FLASH
  • 상세 설명
    FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel
MT29F4G01ADAGDWB-IT:G

MT29F4G01ADAGDWB-IT:G

기술: IC FLASH 4G SPI UPDFN

제조업체: Micron Technology
유품
MT29F4G08ABADAH4-AT:D TR

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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT29F4G01ADAGDWB-IT:G TR

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기술: IC FLASH 4G SPI 8UPDFN

제조업체: Micron Technology
유품
MT29F4G08ABADAH4-AATX:D

MT29F4G08ABADAH4-AATX:D

기술: IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

제조업체: Micron Technology
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MT29F4G08ABADAH4-AT:D

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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology
유품
MT29F4G08ABADAH4-E:D

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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT29F4G08AACHC:C TR

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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT29F4G08AACHC:C

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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT29F4G01ADAGDSF-IT:G TR

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기술: IC FLASH 4G SPI SOIC

제조업체: Micron Technology
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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT29F4G08ABADAH4-IT:D

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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT29F4G08ABADAH4-ITX:D

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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT29F4G08ABADAH4-AATX:D TR

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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT29F4G08AACWC:C TR

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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology
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MT29F4G08ABADAH4-AITX:D TR

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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT29F4G08ABADAH4-ITE:D

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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology
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MT29F4G08AACWC-ET:C TR

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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology
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MT29F4G08AAAWP:A TR

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기술: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Micron Technology
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