> 제품 센터 > 통합 회로 (ICS) > 메모리 > W9725G6IB-25
RFQs/주문 (0)
한국의
48302W9725G6IB-25 이미지Winbond Electronics Corporation

W9725G6IB-25

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    W9725G6IB-25
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    15ns
  • 전압 - 공급
    1.7 V ~ 1.9 V
  • 과학 기술
    SDRAM - DDR2
  • 제조업체 장치 패키지
    84-WBGA (8x12.5)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    84-TFBGA
  • 작동 온도
    0°C ~ 85°C (TC)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    256Mb (16M x 16)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - DDR2 Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 200MHz 400ps 84-WBGA (8x12.5)
  • 클럭 주파수
    200MHz
  • 액세스 시간
    400ps
W971GG8KB25I TR

W971GG8KB25I TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9725G8KB-18

W9725G8KB-18

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9725G6KB25I TR

W9725G6KB25I TR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W971GG8KB25I

W971GG8KB25I

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W971GG8KB-25 TR

W971GG8KB-25 TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W971GG8KB-25

W971GG8KB-25

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W971GG8SB-25

W971GG8SB-25

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9725G8KB-18 TR

W9725G8KB-18 TR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W971GG8SB25I

W971GG8SB25I

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W971GG8JB-25

W971GG8JB-25

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9725G6KB-18

W9725G6KB-18

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9725G6KB-25

W9725G6KB-25

기술:

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9725G8KB-25

W9725G8KB-25

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9725G6KB-25 TR

W9725G6KB-25 TR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W971GG8JB25I

W971GG8JB25I

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9725G6KB-18 TR

W9725G6KB-18 TR

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W971GG8SB-25 TR

W971GG8SB-25 TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9725G6KB25I

W9725G6KB25I

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W971GG8SB25I TR

W971GG8SB25I TR

기술: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품
W9725G6JB25I

W9725G6JB25I

기술: IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA

제조업체: Winbond Electronics Corporation
유품

Review (1)

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오