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C3M0065090J

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  • 제품 모델
    C3M0065090J
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.1V @ 5mA
  • Vgs (최대)
    +19V, -8V
  • 과학 기술
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • 제조업체 장치 패키지
    D2PAK-7
  • 연속
    C3M™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    78 mOhm @ 20A, 15V
  • 전력 소비 (최대)
    113W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    52 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    660pF @ 600V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    30nC @ 15V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    15V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    900V
  • 상세 설명
    N-Channel 900V 35A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    35A (Tc)
AT1206DRE07732RL

AT1206DRE07732RL

기술: RES SMD 732 OHM 0.5% 1/4W 1206

제조업체: Yageo
유품
ECX-P22BN-1244.000

ECX-P22BN-1244.000

기술: OSC XO 1244.0000MHZ LVPECL SMD

제조업체: ECS Inc. International
유품

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