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DMTH6004SCT

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유품
1+
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규격
  • 제품 모델
    DMTH6004SCT
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET 60V 100A TO220-3
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-220-3
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    3.65 mOhm @ 100A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    2.8W (Ta), 136W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-220-3
  • 다른 이름들
    DMTH6004SCTDI-5
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    16 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    4556pF @ 30V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    95.4nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    60V
  • 상세 설명
    N-Channel 60V 100A (Tc) 2.8W (Ta), 136W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    100A (Tc)
SIT9120AI-2D3-33E156.250000Y

SIT9120AI-2D3-33E156.250000Y

기술: OSC MEMS 156.2500MHZ LVDS SMD

제조업체: SiTime
유품

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