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EPC2035

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규격
  • 제품 모델
    EPC2035
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.5V @ 800µA
  • Vgs (최대)
    +6V, -4V
  • 과학 기술
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • 제조업체 장치 패키지
    Die
  • 연속
    eGaN®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    45 mOhm @ 1A, 5V
  • 전력 소비 (최대)
    -
  • 포장
    Original-Reel®
  • 패키지 / 케이스
    Die
  • 다른 이름들
    917-1099-6
  • 작동 온도
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    12 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    115pF @ 30V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    1.15nC @ 5V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    5V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    60V
  • 상세 설명
    N-Channel 60V 1A (Ta) Surface Mount Die
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    1A (Ta)
SIT8209AI-82-25S-166.600000Y

SIT8209AI-82-25S-166.600000Y

기술: -40 TO 85C, 7050, 25PPM, 2.5V, 1

제조업체: SiTime
유품

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