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EPC2107ENGRT

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  • 제품 모델
    EPC2107ENGRT
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
  • 제조업체 장치 패키지
    9-BGA (1.35x1.35)
  • 연속
    eGaN®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
  • 전력 - 최대
    -
  • 포장
    Original-Reel®
  • 패키지 / 케이스
    9-VFBGA
  • 다른 이름들
    917-EPC2107ENGRDKR
  • 작동 온도
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    16pF @ 50V, 7pF @ 50V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
  • FET 유형
    3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
  • FET 특징
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    100V
  • 상세 설명
    Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    1.7A, 500mA
GA0805A820GBCBT31G

GA0805A820GBCBT31G

기술: CAP CER 82PF 200V C0G/NP0 0805

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments
유품

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