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70V657S12BCGI

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유품
12+
$79.533
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규격
  • 제품 모델
    70V657S12BCGI
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    12ns
  • 전압 - 공급
    3.15 V ~ 3.45 V
  • 과학 기술
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 제조업체 장치 패키지
    256-CABGA (17x17)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    256-LBGA
  • 다른 이름들
    IDT70V657S12BCGI
    IDT70V657S12BCGI-ND
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    4 (72 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    1.125Mb (32K x 36)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    SRAM
  • 제조업체 표준 리드 타임
    10 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 12ns 256-CABGA (17x17)
  • 기본 부품 번호
    IDT70V657
  • 액세스 시간
    12ns
MS27468T19F35P

MS27468T19F35P

기술: CONN RCPT MALE 66POS GOLD CRIMP

제조업체: Souriau Connection Technology
유품
CC45SL3AD180JYNNA

CC45SL3AD180JYNNA

기술: CAP CER 18PF 1KV SL RADIAL

제조업체: TDK Corporation
유품

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