ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS61DDB41M36C-250M3

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규격

제품 모델

IS61DDB41M36C-250M3
제조업체 / 브랜드

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
재고 수량

유품
기술

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부

납 함유 / RoHS 비 준수
사양서

IS61DDB41M36C-250M3.pdf
ECAD 모델
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지

-
전압 - 공급

1.71 V ~ 1.89 V
과학 기술

SRAM - Synchronous, DDR II
제조업체 장치 패키지

165-LFBGA (15x17)
연속

-
포장

Tray
패키지 / 케이스

165-LBGA
작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
메모리 유형

Volatile
메모리 크기

36Mb (1M x 36)
메모리 인터페이스

Parallel
메모리 형식

SRAM
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Contains lead / RoHS non-compliant
상세 설명

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 36Mb (1M x 36) Parallel 250MHz 8.4ns 165-LFBGA (15x17)
클럭 주파수

250MHz
액세스 시간

8.4ns

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다음은 "IS61DDB41M36C-250M3"관련 제품입니다.

IS61DDB22M36A-300M3L

기술: IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

유품

IS61DDB41M36C-250M3

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