IRG8CH106K10F

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규격

제품 모델

IRG8CH106K10F
제조업체 / 브랜드

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
재고 수량

유품
기술

IGBT 1200V 110A DIE
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

IRG8CH106K10F.pdf
ECAD 모델
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)

1200V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)

2V @ 15V, 110A
시험 조건

600V, 110A, 1 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C

80ns/380ns
에너지 전환

-
제조업체 장치 패키지

Die
연속

-
포장

Bulk
패키지 / 케이스

Die
다른 이름들

SP001537432
작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 유형

Standard
IGBT 유형

-
게이트 충전

700nC
상세 설명

IGBT 1200V Surface Mount Die

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다음은 "IRG8CH106K10F"관련 제품입니다.

IRG7U200HF12B

기술: MOD IGBT 1200V 200A POWIR 62

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)

유품

IRG8CH106K10F

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