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2715003QSH29TR 이미지LAPIS Semiconductor

QSH29TR

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유품
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규격
  • 제품 모델
    QSH29TR
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANS 2NPN PREBIAS 1.25W TSMT6
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    70V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    300mV @ 1mA, 100mA
  • 트랜지스터 유형
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 제조업체 장치 패키지
    TSMT6 (SC-95)
  • 연속
    -
  • 저항기 - 이미 터베이스 (R2)
    -
  • 저항기 -베이스 (R1)
    10 kOhms
  • 전력 - 최대
    1.25W
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 주파수 - 전환
    -
  • 상세 설명
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 70V 500mA 1.25W Surface Mount TSMT6 (SC-95)
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    500 @ 200mA, 5V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    500nA (ICBO)
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    500mA
  • 기본 부품 번호
    QSH29
P51-1000-S-D-MD-20MA-000-000

P51-1000-S-D-MD-20MA-000-000

기술: SENSOR 1000PSIS 7/16 UNF 4-20 MA

제조업체: SSI Technologies, Inc.
유품

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