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R6012FNX

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유품
1+
$5.47
10+
$4.888
100+
$4.008
500+
$3.245
1000+
$2.737
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규격
  • 제품 모델
    R6012FNX
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    5V @ 1mA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-220FM
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    510 mOhm @ 6A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    50W (Tc)
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    TO-220-3 Full Pack
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1300pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    35nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    600V
  • 상세 설명
    N-Channel 600V 12A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    12A (Tc)
TSM-103-04-S-DH-A-P-TR

TSM-103-04-S-DH-A-P-TR

기술: .025 SQ. TERMINAL STRIPS

제조업체: Samtec, Inc.
유품

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