> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 다이오드 정류기-단일 > RFN2LAM4STR
온라인 가격 조회
한국의
2238438RFN2LAM4STR 이미지LAPIS Semiconductor

RFN2LAM4STR

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
3000+
$0.176
6000+
$0.164
15000+
$0.153
30000+
$0.145
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    RFN2LAM4STR
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.2V @ 1.5A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    400V
  • 제조업체 장치 패키지
    PMDTM
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    30ns
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SOD-128
  • 다른 이름들
    RFN2LAM4STRTR
  • 작동 온도 - 정션
    150°C (Max)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    20 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 400V 1.5A Surface Mount PMDTM
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1µA @ 400V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    1.5A
  • VR, F @ 용량
    -
RFN3BM6STL

RFN3BM6STL

기술: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFN3BM6SFHTL

RFN3BM6SFHTL

기술: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFN20TF6SFH

RFN20TF6SFH

기술: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFN20TF6S

RFN20TF6S

기술: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFN20NS4SFHTL

RFN20NS4SFHTL

기술: FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFN20NS6STL

RFN20NS6STL

기술: DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFN20NS3SFHTL

RFN20NS3SFHTL

기술: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFN20NS6SFHTL

RFN20NS6SFHTL

기술: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFN3B2STL

RFN3B2STL

기술: DIODE GEN PURPOSE CPD

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFN2L4STE25

RFN2L4STE25

기술:

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFN1LAM7STR

RFN1LAM7STR

기술: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFN20TJ6SGC9

RFN20TJ6SGC9

기술: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFN2L6STE25

RFN2L6STE25

기술:

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFN2LAM6STR

RFN2LAM6STR

기술: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFN3BM2STL

RFN3BM2STL

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFN3BM2SFHTL

RFN3BM2SFHTL

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFN30TS6DGC11

RFN30TS6DGC11

기술: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFN30TS6SGC11

RFN30TS6SGC11

기술: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFN3BGE6STL

RFN3BGE6STL

기술: SUPER FAST RECOVERY DIODE

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFN3B6STL

RFN3B6STL

기술: DIODE GEN PURPOSE CPD

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품

Review (1)

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오