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RFN6BM2DFHTL

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    RFN6BM2DFHTL
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  • 기술
    SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    980mV @ 3A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    200V
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-252
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    Automotive, AEC-Q101
  • 역 회복 시간 (trr)
    25ns
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 다른 이름들
    RFN6BM2DFHTLTR
  • 작동 온도 - 정션
    150°C (Max)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 다이오드 구성
    1 Pair Common Cathode
  • 상세 설명
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 6A Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    10µA @ 200V
  • 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)
    6A
RFNL5BGE6STL

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기술: SUPER FAST RECOVERY DIODE

제조업체: LAPIS Semiconductor
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RFN5B3STL

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기술: DIODE GEN PURPOSE CPD

제조업체: LAPIS Semiconductor
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RFN5BM2SFHTL

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기술: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFNL5TJ6SGC9

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기술: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220ACFP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFNL5BM6STL

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기술: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RFN5B6STL

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기술: DIODE GEN PURP 600V 5A CPD

제조업체: LAPIS Semiconductor
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RFN5BM3SFHTL

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기술: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

제조업체: LAPIS Semiconductor
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RFN3BM6SFHTL

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기술: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

제조업체: LAPIS Semiconductor
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RFN5BM3STL

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기술: DIODE GEN PURP 350V 5A TO252

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RFN5BGE3STL

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기술: SUPER FAST RECOVERY DIODE

제조업체: LAPIS Semiconductor
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RFN5BM6STL

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기술:

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RFN6BM2DTL

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기술: DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252

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RFNL10TJ6SGC9

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기술:

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기술: DIODE GEN PURPOSE CPD

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기술: DIODE GEN PURP 200V 5A TO252

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RFN3BM6STL

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기술: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252

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RFNL5BM6SFHTL

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기술: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

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기술: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

제조업체: LAPIS Semiconductor
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RFNL20TJ6SGC9

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기술: DIODE GP 600V 20A TO220ACFP

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RFN6B2DTL

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기술: DIODE GEN PURPOSE TO252

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