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RS3E075ATTB

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  • 제품 모델
    RS3E075ATTB
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    8-SOP
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    23.5 mOhm @ 7.5A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    2W (Ta)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 다른 이름들
    RS3E075ATTBTR
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1250pF @ 15V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    25nC @ 10V
  • FET 유형
    P-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    P-Channel 30V 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    -
RS3G-E3/57T

RS3G-E3/57T

기술: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RS3DB-13-F

RS3DB-13-F

기술:

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RS3G-13

RS3G-13

기술: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RS3DHE3_A/H

RS3DHE3_A/H

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RS3DHE3/9AT

RS3DHE3/9AT

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RS3G-M3/57T

RS3G-M3/57T

기술: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RS3D-M3/9AT

RS3D-M3/9AT

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RS3G R7G

RS3G R7G

기술: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RS3G-E3/9AT

RS3G-E3/9AT

기술: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RS3E095BNGZETB

RS3E095BNGZETB

기술: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RS3DHR7G

RS3DHR7G

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RS3DHE3/57T

RS3DHE3/57T

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RS3DHM6G

RS3DHM6G

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RS3G V7G

RS3G V7G

기술: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
RS3DHE3_A/I

RS3DHE3_A/I

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RS3D-M3/57T

RS3D-M3/57T

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RS3E135BNGZETB

RS3E135BNGZETB

기술: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
RS3G-13-F

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기술: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RS3DB-13

RS3DB-13

기술: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

제조업체: Diodes Incorporated
유품
RS3G M6G

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기술: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
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