CSD25211W1015

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규격

제품 모델

CSD25211W1015
제조업체 / 브랜드

Luminary Micro/Texas Instruments
재고 수량

유품
기술
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
ECAD 모델
아이디 @ VGS (일) (최대)

1.1V @ 250µA
Vgs (최대)

-6V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

6-DSBGA (1x1.5)
연속

NexFET™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

33 mOhm @ 1.5A, 4.5V
전력 소비 (최대)

1W (Ta)
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

6-UFBGA, DSBGA
다른 이름들

296-36578-2
CSD25211W1015-ND
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

570pF @ 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

4.1nC @ 4.5V
FET 유형

P-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

20V
상세 설명

P-Channel 20V 3.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.2A (Ta)

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다음은 "CSD25211W1015"관련 제품입니다.

CSD25304W1015T

기술: MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

제조업체: Luminary Micro / Texas Instruments

유품

CSD25211W1015

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