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CSD87335Q3D

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규격
  • 제품 모델
    CSD87335Q3D
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 30V POWERBLOCK
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • ECAD 모델
  • 전압 - 테스트
    1050pF @ 15V
  • 전압 - 파괴
    8-LSON (3.3x3.3)
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    -
  • 연속
    NexFET™
  • RoHS 상태
    Cut Tape (CT)
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    -
  • 전력 - 최대
    6W
  • 편광
    8-PowerLDFN
  • 다른 이름들
    296-43949-1
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    26 Weeks
  • 제조업체 부품 번호
    CSD87335Q3D
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    7.4nC @ 4.5V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    1.9V @ 250µA
  • FET 특징
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • 확장 설명
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 6W Surface Mount 8-LSON (3.3x3.3)
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    Standard
  • 기술
    MOSFET N-CH 30V POWERBLOCK
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    30V
KBPC1504T

KBPC1504T

기술: DIODE BRIDGE 400V 15A KBPC-T/W

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
MS27508E12F35SC

MS27508E12F35SC

기술: CONN RCPT FMALE 22POS GOLD CRIMP

제조업체: Amphenol Aerospace Operations
유품

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