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UCC27710DR

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10+
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규격
  • 제품 모델
    UCC27710DR
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • ECAD 모델
  • 전압 - 공급
    10 V ~ 20 V
  • 제조업체 장치 패키지
    8-SOIC
  • 연속
    -
  • 상승 / 하강 시간 (일반)
    35ns, 16ns
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 작동 온도
    -40°C ~ 125°C (TA)
  • 입력 주파수
    2
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 논리 전압 - VIL, VIH
    1.2V, 2V
  • 입력 유형
    -
  • 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩)
    600V
  • 게이트 유형
    IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
  • 구동 구성
    High-Side or Low-Side
  • 상세 설명
    High-Side or Low-Side Gate Driver IC 8-SOIC
  • 전류 - 피크 출력 (소스, 싱크)
    500mA, 1A
  • 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대)
    Independent
SIT9120AI-1B1-25S100.000000G

SIT9120AI-1B1-25S100.000000G

기술: -40 TO 85C, 3225, 20PPM, 2.5V, 1

제조업체: SiTime
유품

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