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EDB4064B4PB-1DIT-F-R

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    EDB4064B4PB-1DIT-F-R
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.14 V ~ 1.95 V
  • 과학 기술
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • 제조업체 장치 패키지
    216-WFBGA (12x12)
  • 연속
    -
  • 포장
    Tray
  • 패키지 / 케이스
    216-WFBGA
  • 작동 온도
    -40°C ~ 85°C (TC)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    4Gb (64M x 64)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (64M x 64) Parallel 533MHz 216-WFBGA (12x12)
  • 클럭 주파수
    533MHz
EDB4432BBBH-1D-F-D

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

제조업체: Micron Technology
유품
EDB4064B3PP-1D-F-D

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 240FBGA

제조업체: Micron Technology
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EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 216FBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 168FBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology
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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 168FBGA

제조업체: Micron Technology
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EDB4432BBBJ-1D-F-D

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology
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EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR

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기술: IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Micron Technology
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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

제조업체: Micron Technology
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EDB4432BBBJ-1D-F-R

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

제조업체: Micron Technology
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EDB4416BBBH-1DIT-F-R

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology
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EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology
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EDB4416BBBH-1DIT-F-D

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

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EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR

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EDB4064B3PD-8D-F-D

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기술: IC DRAM 4G PARALLEL 240FBGA

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