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EDF8132A3MA-GD-F-R TR

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유품
2000+
$10.164
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규격
  • 제품 모델
    EDF8132A3MA-GD-F-R TR
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • ECAD 모델
  • 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지
    -
  • 전압 - 공급
    1.14 V ~ 1.95 V
  • 과학 기술
    SDRAM - Mobile LPDDR3
  • 연속
    -
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 다른 이름들
    EDF8132A3MA-GD-F-R
    EDF8132A3MA-GD-F-R TR-ND
    EDF8132A3MA-GD-F-RTR
  • 작동 온도
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 메모리 유형
    Volatile
  • 메모리 크기
    8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스
    Parallel
  • 메모리 형식
    DRAM
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 8Gb (256M x 32) Parallel 800MHz
  • 클럭 주파수
    800MHz
RL20S114GB14

RL20S114GB14

기술: RES 110K OHM 1/2W 2% AXIAL

제조업체: Dale / Vishay
유품
C1210C122F5GACTU

C1210C122F5GACTU

기술: CAP CER 1200PF 50V NP0 1210

제조업체: KEMET
유품

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