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2N2222AE3

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  • 제품 모델
    2N2222AE3
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    SMALL-SIGNAL BJT
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    50V
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    1V @ 50mA, 500mA
  • 트랜지스터 유형
    NPN
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-18
  • 연속
    -
  • RoHS 현황
    RoHS Compliant
  • 전력 - 최대
    500mW
  • 패키지 / 케이스
    TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • 작동 온도
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 주파수 - 전환
    -
  • 상세 설명
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-18
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    100 @ 150mA, 10V
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    50nA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    800mA
MW-10-03-G-D-153-065

MW-10-03-G-D-153-065

기술: 1MM X 1MM C.L. SURFACE MOUNT BOA

제조업체: Samtec, Inc.
유품

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