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APT100S20BG

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30+
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1020+
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규격
  • 제품 모델
    APT100S20BG
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    950mV @ 100A
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    200V
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-247 [B]
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    -
  • 역 회복 시간 (trr)
    70ns
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-2
  • 다른 이름들
    APT100S20BGMI
    APT100S20BGMI-ND
  • 작동 온도 - 정션
    -55°C ~ 150°C
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    26 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 다이오드 유형
    Schottky
  • 상세 설명
    Diode Schottky 200V 120A Through Hole TO-247 [B]
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    2mA @ 200V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    120A
  • VR, F @ 용량
    -
APT100GT120JR

APT100GT120JR

기술: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

기술: IGBT 600V 148A 500W SOT247

제조업체: Microsemi
유품
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

기술: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

제조업체: Microsemi
유품
APT10M07JVR

APT10M07JVR

기술: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

제조업체: Microsemi
유품
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

기술: IGBT 600V 229A 625W TO264

제조업체: Microsemi
유품
APT10M11JVR

APT10M11JVR

기술: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

제조업체: Microsemi
유품
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

기술: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

기술: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

기술: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

제조업체: Microsemi
유품
APT100GT60JR

APT100GT60JR

기술: IGBT 600V 148A 500W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

기술: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

기술: IGBT 600V 148A 500W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

기술: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

제조업체: Microsemi
유품
APT100M50J

APT100M50J

기술: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
APT102GA60B2

APT102GA60B2

기술: IGBT 600V 183A 780W TO247

제조업체: Microsemi
유품
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

기술: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT102GA60L

APT102GA60L

기술: IGBT 600V 183A 780W TO264

제조업체: Microsemi
유품
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

기술: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

기술: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

제조업체: Microsemi
유품
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

기술: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

제조업체: Microsemi
유품

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