> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-이그bts-단일 > APT27GA90BD15
온라인 가격 조회
한국의
2055878APT27GA90BD15 이미지Microsemi

APT27GA90BD15

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1+
$8.09
10+
$7.277
30+
$6.631
120+
$5.984
270+
$5.499
510+
$5.013
1020+
$4.366
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    APT27GA90BD15
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IGBT 900V 48A 223W TO247
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    900V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    3.1V @ 15V, 14A
  • 시험 조건
    600V, 14A, 10 Ohm, 15V
  • Td (온 / 오프) @ 25 ° C
    9ns/98ns
  • 에너지 전환
    413µJ (on), 287µJ (off)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-247 [B]
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    223W
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-3
  • 다른 이름들
    APT27GA90BD15MI
    APT27GA90BD15MI-ND
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    29 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 유형
    Standard
  • IGBT 유형
    PT
  • 게이트 충전
    62nC
  • 상세 설명
    IGBT PT 900V 48A 223W Through Hole TO-247 [B]
  • 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM)
    79A
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    48A
APT25M100J

APT25M100J

기술: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
APT29F100L

APT29F100L

기술: MOSFET N-CH 1000V 30A TO264

제조업체: Microsemi
유품
APT29F80J

APT29F80J

기술: MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
APT28F60S

APT28F60S

기술: MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
APT26M100JCU2

APT26M100JCU2

기술: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT27ZTR-G1

APT27ZTR-G1

기술: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

제조업체: Diodes Incorporated
유품
APT26M100JCU3

APT26M100JCU3

기술: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT25GT120BRG

APT25GT120BRG

기술: IGBT 1200V 54A 347W TO247

제조업체: Microsemi
유품
APT28F60B

APT28F60B

기술: MOSFET N-CH 600V 28A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT2X100D100J

APT2X100D100J

기술: DIODE MODULE 1KV 95A ISOTOP

제조업체: Microsemi
유품
APT26F120L

APT26F120L

기술: MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264

제조업체: Microsemi
유품
APT28M120L

APT28M120L

기술: MOSFET N-CH 1200V 29A TO264

제조업체: Microsemi
유품
APT25SM120B

APT25SM120B

기술: POWER MOSFET - SIC

제조업체: Microsemi
유품
APT25SM120S

APT25SM120S

기술: POWER MOSFET - SIC

제조업체: Microsemi
유품
APT29F100B2

APT29F100B2

기술: MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX

제조업체: Microsemi
유품
APT25GT120BRDQ2G

APT25GT120BRDQ2G

기술: IGBT 1200V 54A 347W TO247

제조업체: Microsemi
유품
APT26F120B2

APT26F120B2

기술: MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX

제조업체: Microsemi
유품
APT27HZTR-G1

APT27HZTR-G1

기술: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

제조업체: Diodes Incorporated
유품
APT28M120B2

APT28M120B2

기술: MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX

제조업체: Microsemi
유품
APT25GR120SSCD10

APT25GR120SSCD10

기술: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

제조업체: Microsemi
유품

Review (1)

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오