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APT70GR65B2SCD30

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  • 제품 모델
    APT70GR65B2SCD30
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • ECAD 모델
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    650V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    2.4V @ 15V, 70A
  • 시험 조건
    433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (온 / 오프) @ 25 ° C
    19ns/170ns
  • 제조업체 장치 패키지
    T-MAX™ [B2]
  • 연속
    *
  • 전력 - 최대
    595W
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-3
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • IGBT 유형
    NPT
  • 게이트 충전
    305nC
  • 상세 설명
    IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX™ [B2]
  • 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM)
    260A
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    134A
P51-300-G-E-D-4.5OVP-000-000

P51-300-G-E-D-4.5OVP-000-000

기술: SENSOR 300PSI 3/8-24UNF .5-4.5V

제조업체: SSI Technologies, Inc.
유품

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