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JAN1N4103CUR-1

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  • 제품 모델
    JAN1N4103CUR-1
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE ZENER 9.1V DO213AA
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 전압 - 제너 (공칭) (Vz의)
    9.1V
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.1V @ 200mA
  • 용인
    ±2%
  • 제조업체 장치 패키지
    DO-213AA
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500/435
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    DO-213AA (Glass)
  • 다른 이름들
    1086-17016
    1086-17016-MIL
  • 작동 온도
    -65°C ~ 175°C
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    20 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 임피던스 (최대) (Zzt)
    200 Ohms
  • 상세 설명
    Zener Diode 9.1V ±2% Surface Mount DO-213AA
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    500nA @ 7V
JAN1N4104C-1

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기술: DIODE ZENER 10V DO35

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N4102CUR-1

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기술: DIODE ZENER 8.7V DO213AA

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N4103UR-1

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기술: DIODE ZENER 9.1V DO213AA

제조업체: Microsemi Corporation
유품
JAN1N4104D-1

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기술: DIODE ZENER 10V DO35

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N4104DUR-1

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기술: DIODE ZENER 10V DO213AA

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N4104UR-1

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기술: DIODE ZENER 10V DO213AA

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N4103D-1

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기술: DIODE ZENER 9.1V DO35

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N4102DUR-1

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기술: DIODE ZENER 8.7V DO213AA

제조업체: Microsemi
유품
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기술: DIODE ZENER 10V 500MW DO35

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N4103C-1

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기술: DIODE ZENER 9.1V DO35

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N4103-1

JAN1N4103-1

기술: DIODE ZENER 9.1V DO35

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N4102C-1

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기술: DIODE ZENER 8.7V DO35

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N4102UR-1

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기술: DIODE ZENER 8.7V DO213AA

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N4104CUR-1

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기술: DIODE ZENER 10V DO213AA

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N4101DUR-1

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기술: DIODE ZENER 8.2V DO213AA

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N4102D-1

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기술: DIODE ZENER 8.7V DO35

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N4105-1

JAN1N4105-1

기술: DIODE ZENER 11V DO213AA

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N4102-1

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기술: DIODE ZENER 8.7V DO35

제조업체: Microsemi
유품
JAN1N4101UR-1

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기술: DIODE ZENER 8.2V DO213AA

제조업체: Microsemi
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JAN1N4103DUR-1

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기술: DIODE ZENER 9.1V 500MW DO213AA

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