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JANS1N6638

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  • 제품 모델
    JANS1N6638
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 125V 300MA DO204
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    1.1V @ 200mA
  • 전압 - 역방향 (Vr) (최대)
    125V
  • 속도
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • 연속
    Military, MIL-PRF-19500/578
  • 역 회복 시간 (trr)
    4.5ns
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • 다른 이름들
    1086-15153
    1086-15153-MIL
  • 작동 온도 - 정션
    -65°C ~ 175°C
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 다이오드 유형
    Standard
  • 상세 설명
    Diode Standard 125V 300mA Through Hole
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    500nA @ 125V
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    300mA
  • VR, F @ 용량
    2.5pF @ 0V, 1MHz
SSM6N16FUTE85LF

SSM6N16FUTE85LF

기술: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
유품

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