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MRF5812R2

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규격
  • 제품 모델
    MRF5812R2
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    200mA
  • 전압 - 파괴
    8-SO
  • IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대)
    18V
  • 연속
    -
  • RoHS 상태
    Tape & Reel (TR)
  • 저항기 -베이스 (R1) (옴)
    5GHz
  • 전력 - 최대
    1.25W
  • 편광
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 부품 번호
    MRF5812R2
  • 이득
    2dB @ 500MHz
  • 주파수 - 전환
    50 @ 50mA, 5V
  • FET 유형
    15.5dB
  • 확장 설명
    RF Transistor NPN 18V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SO
  • 기술
    RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    NPN
DW-05-07-T-S-214

DW-05-07-T-S-214

기술: .025" BOARD SPACERS

제조업체: Samtec, Inc.
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