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PMV45EN2VL

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  • 제품 모델
    PMV45EN2VL
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-236AB
  • 연속
    TrenchMOS™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    42 mOhm @ 4.1A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    510mW (Ta)
  • 패키지 / 케이스
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 다른 이름들
    934068494235
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 제조업체 표준 리드 타임
    20 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    209pF @ 15V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    6.3nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    N-Channel 30V 5.1A (Ta) 510mW (Ta) Surface Mount TO-236AB
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    5.1A (Ta)
RMCF1210FT9M09

RMCF1210FT9M09

기술: RES 9.09M OHM 1% 1/3W 1210

제조업체: Stackpole Electronics, Inc.
유품

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