STB20N60M2-EP

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제품 모델

STB20N60M2-EP
제조업체 / 브랜드

STMicroelectronics
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

STB20N60M2-EP.pdf
ECAD 모델
아이디 @ VGS (일) (최대)

4.75V @ 250µA
Vgs (최대)

-
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

D2PAK
연속

MDmesh™ M2-EP
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

-
전력 소비 (최대)

-
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
작동 온도

150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

42 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

600V
상세 설명

N-Channel 600V 13A (Tc) Surface Mount D2PAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A (Tc)

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STB20100CTR

기술: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK

제조업체: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

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