STB80NF55L-08-1

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제품 모델

STB80NF55L-08-1
제조업체 / 브랜드

STMicroelectronics
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

STB80NF55L-08-1.pdf
ECAD 모델
아이디 @ VGS (일) (최대)

2.5V @ 250µA
Vgs (최대)

±16V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

I2PAK
연속

STripFET™ II
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

8 mOhm @ 40A, 10V
전력 소비 (최대)

300W (Tc)
포장

Tube
패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
다른 이름들

497-12542-5
STB80NF55L-08-1-ND
STB80NF55L081
작동 온도

175°C (TJ)
실장 형

Through Hole
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4350pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

100nC @ 4.5V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

55V
상세 설명

N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

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STB80NF03L-04-1

기술: MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK

제조업체: STMicroelectronics

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