STF11N60M2-EP

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제품 모델

STF11N60M2-EP
제조업체 / 브랜드

STMicroelectronics
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

STF11N60M2-EP.pdf
ECAD 모델
아이디 @ VGS (일) (최대)

4.75V @ 250µA
Vgs (최대)

±25V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

TO-220FP
연속

MDmesh™ M2-EP
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

595 mOhm @ 3.75A, 10V
전력 소비 (최대)

25W (Tc)
패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Through Hole
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

42 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

390pF @ 100V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

12.4nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

600V
상세 설명

N-Channel 600V 7.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A (Tc)

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STF11NM60ND

기술:

제조업체: STMicroelectronics

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