STH6N95K5-2

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제품 모델

STH6N95K5-2
제조업체 / 브랜드

STMicroelectronics
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 950V 6A
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

STH6N95K5-2.pdf
ECAD 모델
아이디 @ VGS (일) (최대)

5V @ 100µA
Vgs (최대)

±30V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

H2Pak-2
연속

MDmesh™ K5
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

1.25 Ohm @ 3A, 10V
전력 소비 (최대)

110W (Tc)
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
다른 이름들

497-16316-2
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

42 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

450pF @ 100V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

950V
상세 설명

N-Channel 950V 6A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Tc)

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다음은 "STH6N95K5-2"관련 제품입니다.

STH320N4F6-2

기술: MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2

제조업체: STMicroelectronics

유품

STH6N95K5-2

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