STL8N10F7

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제품 모델

STL8N10F7
제조업체 / 브랜드

STMicroelectronics
재고 수량

유품
기술
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

STL8N10F7.pdf
ECAD 모델
아이디 @ VGS (일) (최대)

4.5V @ 250µA
Vgs (최대)

±20V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

PowerFlat™ (3.3x3.3)
연속

DeepGATE™, STripFET™ VII
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

20 mOhm @ 4A, 10V
전력 소비 (최대)

3.5W (Ta), 50W (Tc)
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

8-PowerVDFN
다른 이름들

497-14991-2
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

38 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2000pF @ 50V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

100V
상세 설명

N-Channel 100V 3.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

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STL80N3LLH6

기술: MOSFET N-CH 30V 21A POWERFLAT

제조업체: STMicroelectronics

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