STP20N90K5

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제품 모델

STP20N90K5
제조업체 / 브랜드

STMicroelectronics
재고 수량

유품
기술
무연 여부 / RoHS 준수 여부
사양서

1.STP20N90K5.pdf
2.STP20N90K5.pdf
ECAD 모델
아이디 @ VGS (일) (최대)

5V @ 100µA
Vgs (최대)

±30V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

TO-220
연속

MDmesh™ K5
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

250 mOhm @ 10A, 10V
전력 소비 (최대)

250W (Tc)
포장

Tube
패키지 / 케이스

TO-220-3
다른 이름들

497-17087
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Through Hole
수분 민감도 (MSL)

Not Applicable
제조업체 표준 리드 타임

42 Weeks
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1500pF @ 100V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

900V
상세 설명

N-Channel 900V 20A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

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다음은 "STP20N90K5"관련 제품입니다.

STP200N3LL

기술: N-CHANNEL 30 V, 2 MOHM TYP., 120

제조업체: STMicroelectronics

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