STT4P3LLH6

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제품 모델

STT4P3LLH6
제조업체 / 브랜드

STMicroelectronics
재고 수량

유품
기술

MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

STT4P3LLH6.pdf
ECAD 모델
아이디 @ VGS (일) (최대)

2.5V @ 250µA
Vgs (최대)

±20V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

SOT-23-6
연속

DeepGATE™, STripFET™ H6
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

56 mOhm @ 2A, 10V
전력 소비 (최대)

1.6W (Ta)
포장

Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스

SOT-23-6
다른 이름들

497-15521-1
작동 온도

150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

38 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

639pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 4.5V
FET 유형

P-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

30V
상세 설명

P-Channel 30V 4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Ta)

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STT3P2UH7

기술: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-6

제조업체: STMicroelectronics

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