STW63N65DM2

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규격

제품 모델

STW63N65DM2
제조업체 / 브랜드

STMicroelectronics
재고 수량

유품
기술
무연 여부 / RoHS 준수 여부
ECAD 모델
아이디 @ VGS (일) (최대)

-
Vgs (최대)

-
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

TO-247
연속

FDmesh™ II Plus
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

-
전력 소비 (최대)

-
패키지 / 케이스

TO-247-3
작동 온도

-
실장 형

Through Hole
제조업체 표준 리드 타임

42 Weeks
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

145nC @ 100V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-
소스 전압에 드레인 (Vdss)

650V
상세 설명

N-Channel 650V 65A Through Hole TO-247
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

65A

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STW58N65DM2AG

기술:

제조업체: STMicroelectronics

유품

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