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1879735GL4800E0000F 이미지Sharp Microelectronics

GL4800E0000F

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규격
  • 제품 모델
    GL4800E0000F
  • 제조업체 / 브랜드
    Sharp Microelectronics
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    GL4800E0000F.pdf
  • ECAD 모델
  • 파장
    950nm
  • 전압 - 순방향 (Vf) (일반)
    1.2V
  • 시야각
    60°
  • 유형
    Infrared (IR)
  • 연속
    -
  • 방사 강도 (즉) 최소 경우 @
    -
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    Radial
  • 다른 이름들
    425-1939-5
  • 정위
    Side View
  • 작동 온도
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    Infrared (IR) Emitter 950nm 1.2V 50mA 60° Radial
  • 전류 - DC 순방향 (If) (최대)
    50mA

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GL41Y-E3/96

GL41Y-E3/96

기술:

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL480E00000F

GL480E00000F

기술:

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
RFQ
GL453E00000F

GL453E00000F

기술: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
RFQ
GL41THE3/96

GL41THE3/96

기술: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL480

GL480

기술: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
RFQ
GL41Y/1

GL41Y/1

기술: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
유품
RFQ
GL480QE0000F

GL480QE0000F

기술: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
RFQ
GL4800

GL4800

기술: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
RFQ
GL41T-E3/1

GL41T-E3/1

기술: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41MHE3/96

GL41MHE3/96

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41YHE3/96

GL41YHE3/96

기술: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41M/54

GL41M/54

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41MHE3/97

GL41MHE3/97

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41T-E3/97

GL41T-E3/97

기술: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41T-E3/96

GL41T-E3/96

기술: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
유품
RFQ
GL41M-E3/97

GL41M-E3/97

기술: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41YHE3/97

GL41YHE3/97

기술: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41THE3/97

GL41THE3/97

기술: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL41Y-E3/97

GL41Y-E3/97

기술: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
RFQ
GL4910JE000F

GL4910JE000F

기술: EMITTER IR 850NM 50MA RADIAL

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
RFQ
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