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GP1S094HCZ0F

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    GP1S094HCZ0F
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  • 재고 수량
    유품
  • 기술
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    35V
  • 유형
    Unamplified
  • 연속
    -
  • 감지 방법
    Transmissive
  • 감지 거리
    0.118" (3mm)
  • 응답 시간
    50µs, 50µs
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    PCB Mount
  • 출력 구성
    Phototransistor
  • 다른 이름들
    1855-1009
    425-1964-5
    425-1964-5-ND
  • 작동 온도
    -25°C ~ 85°C
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    20 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 상세 설명
    Optical Sensor Transmissive 0.118" (3mm) Phototransistor PCB Mount
  • 전류 - DC 순방향 (If) (최대)
    50mA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    20mA
GP1S093HCZ

GP1S093HCZ

기술: PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM PCB

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP1S097HCZ0F

GP1S097HCZ0F

기술: SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS THRU

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP1S096HCZ0F

GP1S096HCZ0F

기술: SENSOR OPTO SLOT 1MM TRANS THRU

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP1S096HCZ

GP1S096HCZ

기술: PHOTOINTERRUPTER SLOT 1.0MM PCB

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP1S194HCZ0F

GP1S194HCZ0F

기술:

제조업체: Socle Technology Corporation
유품
GP1S097HCZ

GP1S097HCZ

기술: PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM PCB

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP1S196HCPSF

GP1S196HCPSF

기술:

제조업체: Socle Technology Corporation
유품
GP1S196HCZ0F

GP1S196HCZ0F

기술:

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP1M020A060M

GP1M020A060M

기술: MOSFET N-CH 600V 20A TO3P

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1S092HCPI

GP1S092HCPI

기술: PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM SMD

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP1M020A060N

GP1M020A060N

기술: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1S094HCZ

GP1S094HCZ

기술: PHOTOINTERRUPTER SLOT 3.0MM PCB

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP1S196HCZSF

GP1S196HCZSF

기술: SENSOR OPTO SLOT 1.1MM TRANS SMD

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP1S25

GP1S25

기술: PHOTOINTERRUPTER SLOT 1.6MM PCB

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP1S173LCS2F

GP1S173LCS2F

기술: PHOTOINTER SLOT 5MM W/CONN

제조업체: Socle Technology Corporation
유품
GP1M023A050N

GP1M023A050N

기술: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1S036HEZ

GP1S036HEZ

기술: SENSOR TILT 2PHASE 20MA TH

제조업체: Sharp Microelectronics
유품
GP1M020A050N

GP1M020A050N

기술: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

제조업체: Global Power Technologies Group
유품
GP1S093HCZ0F

GP1S093HCZ0F

기술:

제조업체: Socle Technology Corporation
유품
GP1S092HCPIF

GP1S092HCPIF

기술:

제조업체: SHARP
유품

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