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APT200GN60B2G

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유품
1+
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10+
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270+
$17.315
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규격
  • 제품 모델
    APT200GN60B2G
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IGBT 600V 283A 682W TO247
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    600V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    1.85V @ 15V, 200A
  • 시험 조건
    400V, 200A, 1 Ohm, 15V
  • Td (온 / 오프) @ 25 ° C
    50ns/560ns
  • 에너지 전환
    13mJ (on), 11mJ (off)
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    682W
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-3
  • 다른 이름들
    APT200GN60B2GMI
    APT200GN60B2GMI-ND
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    18 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 유형
    Standard
  • IGBT 유형
    Trench Field Stop
  • 게이트 충전
    1180nC
  • 상세 설명
    IGBT Trench Field Stop 600V 283A 682W Through Hole
  • 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM)
    600A
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    283A
APT18F60S

APT18F60S

기술: MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
APT2012EC

APT2012EC

기술:

제조업체: Kingbright
유품
APT2012F3C

APT2012F3C

기술: EMITTER IR 940NM 50MA 0805

제조업체: Kingbright
유품
APT200GN60JDQ4G

APT200GN60JDQ4G

기술: IGBT 600V 283A 682W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT200GN60JDQ4

APT200GN60JDQ4

기술: IGBT 600V 283A 682W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT200GN60JG

APT200GN60JG

기술: IGBT 600V 283A 682W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT18M80S

APT18M80S

기술: MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
APT2012LSECK/J4-PRV

APT2012LSECK/J4-PRV

기술: LED ORANGE CLEAR 2SMD

제조업체: Kingbright
유품
APT18M80B

APT18M80B

기술: MOSFET N-CH 800V 19A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT19M120J

APT19M120J

기술: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
APT2012LSECK/J3-PRV

APT2012LSECK/J3-PRV

기술: LED RED CLEAR 2SMD

제조업체: Kingbright
유품
APT17N80BC3G

APT17N80BC3G

기술: MOSFET N-CH 800V 17A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT18M100B

APT18M100B

기술: MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT17NTR-G1

APT17NTR-G1

기술:

제조업체: Diodes Incorporated
유품
APT18F60B

APT18F60B

기술: MOSFET N-CH 600V 18A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT2012CGCK

APT2012CGCK

기술:

제조업체: Kingbright
유품
APT200GT60JR

APT200GT60JR

기술: IGBT 600V 195A ISOTOP

제조업체: Microsemi
유품
APT200GN60J

APT200GN60J

기술: IGBT 600V 283A 682W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT19F100J

APT19F100J

기술: MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
APT17N80SC3G

APT17N80SC3G

기술: MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK

제조업체: Microsemi
유품

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