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APT200GN60J

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유품
1+
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규격
  • 제품 모델
    APT200GN60J
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IGBT 600V 283A 682W SOT227
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    600V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    1.85V @ 15V, 200A
  • 제조업체 장치 패키지
    ISOTOP®
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    682W
  • 패키지 / 케이스
    ISOTOP
  • 다른 이름들
    APT200GN60JMI
    APT200GN60JMI-ND
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • NTC 써미스터
    No
  • 실장 형
    Chassis Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    18 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 정전 용량 (CIES) @ Vce가
    14.1nF @ 25V
  • 입력
    Standard
  • IGBT 유형
    Trench Field Stop
  • 상세 설명
    IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP®
  • 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)
    25µA
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    283A
  • 구성
    Single
APT19F100J

APT19F100J

기술: MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
APT19M120J

APT19M120J

기술: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227

제조업체: Microsemi
유품
APT18M80B

APT18M80B

기술: MOSFET N-CH 800V 19A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT18F60B

APT18F60B

기술: MOSFET N-CH 600V 18A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT2012LSECK/J4-PRV

APT2012LSECK/J4-PRV

기술: LED ORANGE CLEAR 2SMD

제조업체: Kingbright
유품
APT2012CGCK

APT2012CGCK

기술:

제조업체: Kingbright
유품
APT200GT60JR

APT200GT60JR

기술: IGBT 600V 195A ISOTOP

제조업체: Microsemi
유품
APT18F60S

APT18F60S

기술: MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
APT2012LSYCK/J3-PRV

APT2012LSYCK/J3-PRV

기술: LED YELLOW CLEAR 2SMD

제조업체: Kingbright
유품
APT200GN60JG

APT200GN60JG

기술: IGBT 600V 283A 682W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT17N80SC3G

APT17N80SC3G

기술: MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
APT2012LSECK/J3-PRV

APT2012LSECK/J3-PRV

기술: LED RED CLEAR 2SMD

제조업체: Kingbright
유품
APT200GN60JDQ4G

APT200GN60JDQ4G

기술: IGBT 600V 283A 682W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT18M100B

APT18M100B

기술: MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247

제조업체: Microsemi
유품
APT2012EC

APT2012EC

기술:

제조업체: Kingbright
유품
APT17NTR-G1

APT17NTR-G1

기술:

제조업체: Diodes Incorporated
유품
APT2012F3C

APT2012F3C

기술: EMITTER IR 940NM 50MA 0805

제조업체: Kingbright
유품
APT18M80S

APT18M80S

기술: MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK

제조업체: Microsemi
유품
APT200GN60JDQ4

APT200GN60JDQ4

기술: IGBT 600V 283A 682W SOT227

제조업체: Microsemi
유품
APT200GN60B2G

APT200GN60B2G

기술: IGBT 600V 283A 682W TO247

제조업체: Microsemi
유품

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