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PMV55ENEAR

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규격
  • 제품 모델
    PMV55ENEAR
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.7V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-236AB (SOT23)
  • 연속
    Automotive, AEC-Q101
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    60 mOhm @ 3.1A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    478mW (Ta), 8.36W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 다른 이름들
    1727-2534-2
    568-12973-2-ND
    934068714215
    PMV55ENEAR-ND
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    8 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    646pF @ 30V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    19nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    60V
  • 상세 설명
    N-Channel 60V 3.1A (Ta) 478mW (Ta), 8.36W (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    3.1A (Ta)

개요

PMV55ENEAR 개요

넥스페리아 PMV55ENEAR MOSFET |Futuretech 구성 요소


Nexperia PMV55ENEAR는 저전압 스위칭 애플리케이션용으로 설계된 고성능 P채널 MOSFET입니다.Futuretech Components에서 사용 가능하며 안정적인 소싱과 일관된 품질을 보장합니다.


PMV55ENEAR FAQ

PMV55ENEAR란 무엇입니까?

PMV55ENEAR는 Nexperia의 P채널 강화 모드 MOSFET입니다.낮은 온 저항과 빠른 스위칭 특성이 특징이므로 배터리 구동 장치, DC-DC 컨버터 및 부하 스위칭 회로에 이상적입니다.

PMV55ENEAR는 어떻게 작동하나요?

PMV55ENEAR는 적절한 음의 게이트-소스 전압이 적용될 때 소스에서 드레인으로 전류 흐름을 허용하여 작동합니다.낮은 게이트 전하로 인해 빠른 스위칭과 최소한의 전력 손실이 보장되어 휴대용 및 저전압 회로의 고효율 설계를 지원합니다.


PMV55ENEAR에는 어떤 패키지와 핀 구성이 있습니까?

PMV55ENEAR는 표면 실장 애플리케이션에 적합한 소형 SOT-23 패키지로 제공됩니다.세 개의 핀이 있습니다:
G – 게이트
D – 배수
S – 소스
작은 설치 공간으로 인해 높은 열 성능을 유지하면서 효율적인 PCB 레이아웃이 가능합니다.

PMV55ENEAR의 장점과 한계는 무엇입니까?

장점:
낮은 온 저항으로 전도 손실 최소화 보장
고효율 회로를 위한 빠른 스위칭 특성
컴팩트한 SOT-23 패키지는 고밀도 PCB 설계를 지원합니다.
저전압 애플리케이션에 적합한 넓은 작동 전압 범위

단점:
정격 제한을 초과하는 고전류 전력 애플리케이션에는 적합하지 않음
우발적인 전도를 방지하려면 신중한 게이트 전압 제어가 필요합니다.

PMV55ENEAR의 대안은 무엇입니까?

가능한 동등 또는 대체 옵션은 다음과 같습니다.
PMV55ENEAR-T (넥스페리아)
BSS84(온세미컨덕터)
Si2323DS(비샤이)
ZXMN2A06G (다이오즈 주식회사)
이러한 대안은 유사한 저전압 P-채널 스위칭 기능을 제공하므로 유연한 설계 선택이 가능합니다.

PMV55ENEAR의 일반적인 응용 분야는 무엇입니까?

PMV55ENEAR는 저전압 DC-DC 컨버터, 부하 스위치, 배터리 구동 장치, 전력 관리 회로 및 휴대용 전자 장치에 널리 사용됩니다.낮은 온 저항과 빠른 스위칭 성능 덕분에 소비자 가전, 산업 및 자동차 전자 장치의 소형, 에너지 효율적인 설계에 이상적입니다.

결론

검증된 정품 PMV55ENEAR MOSFET의 경우 글로벌 공급 신뢰성을 갖춘 고품질 전자 부품의 신뢰할 수 있는 유통업체인 Futuretech Components에서 직접 구매하세요.Futuretech Components는 동남아시아/유럽/북미 전역에 걸쳐 빠른 배송을 제공합니다.

PMV55ENEAR 개요

넥스페리아 PMV55ENEAR MOSFET |Futuretech 구성 요소


Nexperia PMV55ENEAR는 저전압 스위칭 애플리케이션용으로 설계된 고성능 P채널 MOSFET입니다.Futuretech Components에서 사용 가능하며 안정적인 소싱과 일관된 품질을 보장합니다.


PMV55ENEAR FAQ

PMV55ENEAR란 무엇입니까?

PMV55ENEAR는 Nexperia의 P채널 강화 모드 MOSFET입니다.낮은 온 저항과 빠른 스위칭 특성이 특징이므로 배터리 구동 장치, DC-DC 컨버터 및 부하 스위칭 회로에 이상적입니다.

PMV55ENEAR는 어떻게 작동하나요?

PMV55ENEAR는 적절한 음의 게이트-소스 전압이 적용될 때 소스에서 드레인으로 전류 흐름을 허용하여 작동합니다.낮은 게이트 전하로 인해 빠른 스위칭과 최소한의 전력 손실이 보장되어 휴대용 및 저전압 회로의 고효율 설계를 지원합니다.


PMV55ENEAR에는 어떤 패키지와 핀 구성이 있습니까?

PMV55ENEAR는 표면 실장 애플리케이션에 적합한 소형 SOT-23 패키지로 제공됩니다.세 개의 핀이 있습니다:
G – 게이트
D – 배수
S – 소스
작은 설치 공간으로 인해 높은 열 성능을 유지하면서 효율적인 PCB 레이아웃이 가능합니다.

PMV55ENEAR의 장점과 한계는 무엇입니까?

장점:
낮은 온 저항으로 전도 손실 최소화 보장
고효율 회로를 위한 빠른 스위칭 특성
컴팩트한 SOT-23 패키지는 고밀도 PCB 설계를 지원합니다.
저전압 애플리케이션에 적합한 넓은 작동 전압 범위

단점:
정격 제한을 초과하는 고전류 전력 애플리케이션에는 적합하지 않음
우발적인 전도를 방지하려면 신중한 게이트 전압 제어가 필요합니다.

PMV55ENEAR의 대안은 무엇입니까?

가능한 동등 또는 대체 옵션은 다음과 같습니다.
PMV55ENEAR-T (넥스페리아)
BSS84(온세미컨덕터)
Si2323DS(비샤이)
ZXMN2A06G (다이오즈 주식회사)
이러한 대안은 유사한 저전압 P-채널 스위칭 기능을 제공하므로 유연한 설계 선택이 가능합니다.

PMV55ENEAR의 일반적인 응용 분야는 무엇입니까?

PMV55ENEAR는 저전압 DC-DC 컨버터, 부하 스위치, 배터리 구동 장치, 전력 관리 회로 및 휴대용 전자 장치에 널리 사용됩니다.낮은 온 저항과 빠른 스위칭 성능 덕분에 소비자 가전, 산업 및 자동차 전자 장치의 소형, 에너지 효율적인 설계에 이상적입니다.

결론

검증된 정품 PMV55ENEAR MOSFET의 경우 글로벌 공급 신뢰성을 갖춘 고품질 전자 부품의 신뢰할 수 있는 유통업체인 Futuretech Components에서 직접 구매하세요.Futuretech Components는 동남아시아/유럽/북미 전역에 걸쳐 빠른 배송을 제공합니다.
PMV6-4F-L

PMV6-4F-L

기술: CONN SPADE TERM 10-12AWG M4 YEL

제조업체: Panduit
유품
PMV6-3RB-2K

PMV6-3RB-2K

기술: CONN RING CIRC 10-12AWG M3 CRIMP

제조업체: Panduit
유품
PMV6-4R-L

PMV6-4R-L

기술: CONN RING CIRC 10-12AWG M4 CRIMP

제조업체: Panduit
유품
PMV6-4R-X

PMV6-4R-X

기술: CONN RING CIRC 10-12AWG M4 CRIMP

제조업체: Panduit
유품
PMV48XP/MIR

PMV48XP/MIR

기술: MOSFET P-CH 20V SOT23

제조업체: Nexperia
유품
PMV6-3R-L

PMV6-3R-L

기술: CONN RING CIRC 10-12AWG M3 CRIMP

제조업체: Panduit
유품
PMV45EN2VL

PMV45EN2VL

기술: MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB

제조업체: Nexperia
유품
PMV56XN,215

PMV56XN,215

기술: MOSFET N-CH 20V 3.76A SOT23

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
PMV6-4RB-2K

PMV6-4RB-2K

기술: CONN RING CIRC 10-12AWG M4 CRIMP

제조업체: Panduit
유품
PMV50ENEAR

PMV50ENEAR

기술: MOSFET N-CH 30V TO-236AB

제조업체: Nexperia
유품
PMV50XPR

PMV50XPR

기술:

제조업체: Nexperia
유품
PMV48XP,215

PMV48XP,215

기술:

제조업체: Nexperia
유품
PMV50UPEVL

PMV50UPEVL

기술: MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB

제조업체: Nexperia
유품
PMV50EPEAR

PMV50EPEAR

기술:

제조업체: Nexperia
유품
PMV6-3R-X

PMV6-3R-X

기술: CONN RING CIRC 10-12AWG M3 CRIMP

제조업체: Panduit
유품
PMV50UPE,215

PMV50UPE,215

기술:

제조업체: Nexperia
유품
PMV48XPAR

PMV48XPAR

기술:

제조업체: Nexperia
유품
PMV6-35RB-2K

PMV6-35RB-2K

기술: CONN RING CIRC 10-12AWG M3.5

제조업체: Panduit
유품
PMV48XPVL

PMV48XPVL

기술: MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB

제조업체: Nexperia
유품
PMV6-4FB-2K

PMV6-4FB-2K

기술: CONN SPADE TERM 10-12AWG M4 YEL

제조업체: Panduit
유품

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